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酸碱类 |
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品名 |
英文名 |
分子式 |
级别 |
SL |
UL |
VL(CMOS) |
EL |
过氧化氢 |
Hydrogen Peroxide,30% |
H2O2 |
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■ |
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硫酸 |
Sulfuric Acid |
H2SO4 |
■ |
■ |
■ |
■ |
盐酸 |
Hydrochloric Acid |
HCL |
■ |
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硝酸 |
Nitric Acid,70% |
HNO3 |
■ |
■ |
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发烟硝酸 |
Nitric Acid Fuming |
HNO3 |
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磷酸 |
Phosphoric Acid |
H3PO4 |
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氢氟酸 |
Hydrofluoric Acid |
HF |
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冰乙酸 |
Acetic Acid,Glacial |
CH3COOH |
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氨水 |
Ammonium Hydroxide |
NH3·H2O |
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■ |
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氟化铵 |
Ammonium Fluoride,40% |
NH4F |
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氢氧化钾溶液 |
Potassium Hydroxide Liquid |
KOH |
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C-400胆碱清洗剂 |
Choline Hydroxide |
C5H15NO2 |
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氢氧化钠溶液 |
Sodium Hydroxide Liquid |
NaOH |
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蚀刻液 |
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品名 |
英文名 |
分子式 |
级别 |
SL |
UL |
VL(CMOS) |
EL |
氟化铵腐蚀液(BOE) |
Ammonium Fluoride Etchant |
NH4F·HF |
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氟化铵腐蚀液(BOES) |
Ammonium Fluoride Etchant(with Surfactant) |
NH4F·HF |
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铝蚀刻液 |
Aluminum Etchant |
H3PO4·HNO3·CH3COOH |
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钼蚀刻液 |
Mo Etchant |
H3PO4·HNO3·CH3COOH |
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钼铝/钼铝钼蚀刻液 |
MoAl/MoAlMo Etchant |
H3PO4·HNO3·CH3COOH |
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硅蚀刻液(MAE) |
Silicon Etchant |
HNO3·HF·CH3COOH |
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金蚀刻液 |
Au Etchant |
KI |
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银蚀刻液 |
Ag Etchant |
H3PO4·HNO3 |
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钛蚀刻液 |
Ti Etchant |
HF |
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铬蚀刻液 |
Cr Etchant |
HNO3CAN |
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酸性剥离液(AP-2X) |
Nanostrip 2XP |
H2SO5 |
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氢氟酸腐蚀液DHF |
Hydrofluoric Acid(with Surfactant) |
HF |
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ITO蚀刻液(王水) |
ITO Etchant |
HNO3·HCI |
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ITO蚀刻液(草酸) |
ITO Etchant |
H2C2O4 |
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ITO蚀刻液(FeCl3) |
ITO Etchant |
FeCl3·HCl |
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溶剂 |
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品名 |
英文名 |
分子式 |
级别 |
SL |
UL |
VL(CMOS) |
EL |
甲醇 |
Methanol |
CH3OH |
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乙醇 |
Ethanol |
C2H5OH |
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异丙醇 |
IPA |
CH3CHOHCH3 |
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丙酮 |
Acetone |
(CH3)2CO |
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醋酸丁酯 |
n-Butyl Acetate |
C6H12O2 |
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■ |
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甲苯 |
Toluene |
C6H5CH3 |
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二甲苯 |
Xylenes |
C8H10 |
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三氯乙烯 |
Trichloroethylene |
C2HCl3 |
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环已烷 |
Cyclohexane |
C6H12 |
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N-甲基吡咯烷酮 |
N-methyl-2-pyrrolidinone |
CH3N(CH2)3CO |
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丙二醇单甲醚 |
PGME |
PGME |
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丙二醇单甲醚醋酸酯 |
PGMEA |
PGMEA |
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EL级:优于美国SEME C1标准,控制1μm颗粒,控制十多个金属元素,单项金属元素控制在100PPb。 |
VL级:介于EL与UL之间,控制0.5μm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在10~100PPb。 |
UL级:等同于美国SEME C7标准,控制0.5、0.3μm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在10PPb以下。 |
SL级:等同于美国SEME C8标准,控制0.3μm颗粒,控制三十多个金属元素,单项金属元素控制在1PPb以下。 |
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